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Kinetis® K26-180 MHz，雙高速和全速USB，2MB閃存微控制器(MCU)，基于ARM® Cortex®-M4内核

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Kinetis^® K26-180 MHz，雙高速和全速USB，2MB閃存微控制器(MCU)，基于ARM^® Cortex^®-M4内核

Kinetis^® K26 180MHz高速USB MCU基于ARM^® Cortex^®-M4F内核，适合需要高存儲器密度、低功耗和高處理效率的應用。該系列提供高速USB，帶集成高速USB物(wù)理收發器、SDRAM控制器、全速無晶體(tǐ)USB支持等功能，同時還與Kinetis産品組合共享綜合的支持工(gōng)具和可擴展性。

所屬分(fēn)類：

K2x USB

關鍵詞:

K26

 服務熱線： 18612628057

 咨詢郵箱： riley_chow@powerever.cn

Kinetis^® K26-180 MHz，雙高速和全速USB，2MB閃存微控制器(MCU)，基于ARM^® Cortex^®-M4内核

産品描述

應用

相關附件

産品詳情

框圖

Kinetis K26 MCU Family Block Diagram

K26

特征

性能

基于ARM^® Cortex®-M4F内核構建，運行頻(pín)率爲180 MHz，帶單精度浮點單元和8KB緩存。
多達32通道的DMA用于外(wài)設和存儲器，可以降低CPU負載，實現更快的系統吞吐，并在停止模式提供異步支持。
交叉開(kāi)關支持并發多主設備總線訪問，增加總線帶寬
獨立的閃存Bank可以并發執行代碼和固件更新，既不會影響性能，也無需複雜(zá)的編碼例程

超低功耗

靈活的低功耗模式，提供電(diàn)源和時鍾門控，可以實現最佳的外(wài)設活動和恢複時間。運行功耗降至250 µA/MHz，靜态功耗降至9.0 µA，支持全狀态保留，不到6 µS即可喚醒。靜态功耗可低至250 nA(VLLS0)。
工(gōng)作電(diàn)壓降至1.71 V時，仍可實現完整的存儲器和模拟操作，延長了電(diàn)池使用時間
低漏電(diàn)喚醒單元，帶有多達7個内置模塊和20個引腳，可作爲低漏電(diàn)停止(LLS)模式和超低漏電(diàn)停止(VLLS)模式的喚醒源
低功耗定時器支持系統在低功耗狀态下(xià)持續運行

存儲器

高達2 MB閃存。支持快速訪問，具備高可靠性，提供4級安全保護
256 KB SRAM

混合信号功能

兩個分(fēn)辨率可配置的高速16位模數轉換器(ADC)。
兩個12位數模轉換器(DAC)，可以爲音頻(pín)應用生(shēng)成模拟波形
4個高速比較器，可通過将脈寬調制(PWM)置于安全狀态，提供快速準确的電(diàn)機過流保護
模拟參考電(diàn)壓可爲模拟模塊、ADC和DAC提供精确的參考值，代替外(wài)部參考電(diàn)壓，降低系統成本

定時和控制

最多兩個16位低功耗PWM定時器模塊，兩個8通道電(diàn)機控制/通用/ PWM定時器和兩個兩路四解碼器/通用定時器
16位低功耗定時器，以及4個32位周期中(zhōng)斷定時器
載波調制定時器，用于在遙控應用中(zhōng)生(shēng)成紅外(wài)線波形
4通道32位周期中(zhōng)斷定時器可爲實時操作系統任務調度程序提供時基，還可爲ADC轉換和可編程延遲模塊提供觸發源

人機接口(HMI)

帶有多達16路輸入的硬件觸摸傳感接口。可在所有低功耗模式下(xià)運行(啓用時隻增加極小(xiǎo)的電(diàn)流)。通過硬件實現避免了軟件輪詢方法。高靈敏度，允許使用厚達5毫米厚度的貼膜

數據連接與通信

雙USB，通過集成式HS收發器支持高速(HS)，通過集成式FS收發器支持全速(FS)。帶嵌入式48 MHz振蕩器的智能式設計，可采用FS USB無晶振系統設計。
一(yī)個低功率UART(LPUART)，以及5個标準的UART，帶ISO7816智能卡支持。
IC間音頻(pín)傳輸(I2S)串行接口，用于接入音頻(pín)系統
兩個CAN模塊，适用于工(gōng)業網絡橋接
3個SPI和4個I2C

可靠性、安全性和安防